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日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出三款采用超小尺寸薄型SlimSMA HV（DO-221AC）封裝的全新第三代 650 V和1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管---2 A的 VS-3C02EJ07-M3和1 A 的VS-3C01EJ12-M3以及2 A的VS-3C02EJ12-M3。這些器件采用合并PIN肖特基（MPS）設計，最小爬電距離為3.2 mm，融合低電容電荷與溫度不變的開關特性等優點，可提高高速硬開關電源設計的效率。

對于高壓應用，Vishay日前發布的器件的高爬電距離增強了電絕緣性能，而其SlimSMA HV封裝采用CTI  600的模制化合物，以確保出色的電絕緣性。對于空間受限的設計，這些二極管厚度僅為0.95 mm，而具有類似封裝尺寸的SMA和SMB封裝競品的厚度為2.3 mm。

與硅二極管不同，VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3在任何溫度下都能保持低至7.2 nC的低容性電荷，從而加快開關速度，降低功率損耗，提高高頻應用的效率。此外，這些器件幾乎沒有恢復尾電流，從而進一步提高了效率，而其MPS結構可降低正向壓降至1.30 V。

VS-3C01EJ12-M3、VS-3C02EJ07-M3和VS-3C02EJ12-M3的工作溫度高達+175 C，其典型應用包括服務器電源中使用的DC/DC和AC/DC轉換器的自舉二極管、防并聯二極管和PFC二極管；發電和存儲系統；工業驅動器和工具；以及X射線發生器。這些器件具有正溫度系數，便于在這些應用中實現并聯。

這些二極管符合RoHS標準，無鹵素，濕度靈敏度等級為1，符合J-STD-020標準，并滿足JESD 201第二類whisker 測試要求。

新款SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為14周。